ニュース

2017年8月4日

マレーシアの産官学連携プログラムCRESTが当社製MOCVD装置を採用

2017年6月13日

国立研究開発法人産業技術総合研究所 研究成果を発表「高効率ガリウムヒ素太陽電池を低コストで製造」-太陽電池製造用の HVPE装置、国内の商用機製品化を後押し-

出典元:国立研究開発法人産業技術総合研究所

2017年1月16日

国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構からの「高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発」の受託並びに研究開始のお知らせ

参考:高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発(国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構サイト

2016年5月18日

大陽日酸のMOCVDに関する記事が Compound Semiconductor magazine, Volume 22, Issue 3, April/May 2016 に掲載されました。
VENDOR VIEW Driving diversification in GaN device production (Page 22)

2016年5月18日

大陽日酸株式会社と米国子会社の Matheson Tri-Gas, Inc.が納入した MOCVD装置 SR4000HT が米国の政府系研究機関である Sandia National Laboratories に正式受領されました。

2016年3月22日

第63回応用物理学会春季学術講演会予稿を、弊社サイト技術論文へ掲載しました。

2016年3月17日

カルフォルニア大学サンタバーバラ校のSolid State Lighting & Energy Electronics Centerへ当社製MOCVD装置反応炉を納入しました。

2014年12月15日

ガスレビューNo.803(11月01日号)のノーベル物理学賞記事において、大陽日酸製MOCVD装置が取り上げられました。

2014年11月04日

大陽日酸株式会社は、台湾のLED製造大手Epistar Corporationに当社製MOCVD装置を納入しました。

2014年10月09日

大陽日酸株式会社と米国子会社のMatheson Tri-Gas, Inc.は米国の政府系研究機関であるSandia National LaboratoriesにMOCVD装置を納入することが決定しました。

2014年04月18日

LED台湾2014に展示した弊社ブース紹介が、4月2日付け電波新聞に掲載されました。

2014年04月16日

台湾工業技術院(ITRI)とGaN基板上のUV-LED開発契約を締結しました。
ITRI and TNSC Unite to Promote UVA LED Production on GaN Substrate — LEDinside

TNSC Signs Technical MOCVD Agreement With ITRI — LEDinside

2014年04月01日

大陽日酸は2014年4月1日よりMOCVD装置製造部門を関係会社『大陽日酸CSE株式会社(旧 大陽日酸イー・エム・シー株式会社)』に全面移管いたしました。

2014年03月16日

大陽日酸のMOCVDに関する記事がCompound Semiconductor Magazineに掲載されました。
Faster, better III-N film growth (Page 38) — Compound Semiconductor

2014年01月06日

大陽日酸は、2014年4月1日(予定)よりMOCVD装置製造部門を関係会社『大陽日酸CSE株式会社(現 大陽日酸イー・エム・シー株式会社)』に全面移管することになりました。

2013年10月15日

大陽日酸は、国立大学法人名古屋工業大学の窒化物半導体マルチビジネス創生センターへ量産型GaN-MOCVD装置であるUR25K(6インチ×7枚)およびUR26K(8インチ×6枚)を納入いたしました。UR26Kは世界最大の処理能力を有します。

2013年10月15日

大陽日酸は、国立大学法人名古屋工業大学と平成25年10月1日付で「大口径Si基板上のGaNの成長技術及びデバイス評価技術に関する研究」の共同研究契約を締結しました。詳細はリンク資料をご参照ください。