GaAs/InP MOCVD装置

移動通信ネットワークの根幹をなす高速通信デバイスやBlue-Rayに用いられるLDも化合物半導体の領域です。化合物半導体の黎明期からお客様とともに歩んできた大陽日酸のMOCVD装置は高い評価をいただいています。

VRシリーズ

主な用途: GaAs/InP 研究開発用途

Model Type Wafer face Wafer Material
Reactor Transfer tray
VR-3000 3" vertical rotary susceptor Face up 2" x 1 or 3" x 1 Quartz Quartz

HRシリーズ

主な用途: GaAs/InP 研究開発~量産用途

Model Type Wafer face Wafer Material
Reactor Transfer tray
HR-3000 3" horizontal rotary susceptor Face up 2" x 1 or 3" x 1 Quartz Quartz
HR-4000 4" horizontal rotary susceptor Face up 2" x 3 or 4" x 1 Quartz Quartz
HR-6000 8" horizontal rotary susceptor Face down 2" x 7 Stainless steel Carbon
HR-8000 3" vertical rotary susceptor Face down 2" x 11 or 3" x 6 or 4" x 3 or 8" x 1 Stainless steel Carbon
HR-10000 3" vertical rotary susceptor Face down 2" x 19 or 3" x 9 or 6" x 3 Stainless steel Carbon

BRC・BMCシリーズ

BRCシリーズの主な用途: GaAs/InP 研究開発用途
BMCシリーズの主な用途: GaAs/InP 量産用途

Model Type Wafer face Wafer size Application
Reactor
BRC Horizontal Face down 1"~4"x1 /2"x3 wafers Research
BMC Rotation & Revolution Face down 2"x42~6"x6 wafers Product
  • BMCのリアクタコンセプト
    (BMC 自公転 Face Down)