世界最高クラスの化合物半導体製造装置

大陽日酸は消費電力低減のキーデバイスを製造するMOCVD装置で、サスティナブルな社会の実現に貢献します。

GaN MOCVD装置

照明用LED、パワー半導体などで需要が拡大する、GaN系化合物半導体開発・生産用次世代のMOCVD装置を提供します。

GaAs/InP MOCVD装置

高速通信デバイス、レーザーダイオードなどの開発・生産に適したMOCVD装置を提供します。

関連設備

MOCVD装置の運用に欠かせないバルクガスや半導体材料ガスの供給設備、ガス精製装置、排ガス処理装置などを提供します。

世界最高クラスの化合物半導体製造装置

長年培ってきたガス・ハンドリング技術、超高真空技術などをもとに開発された大陽日酸の化合物半導体製造装置(MOCVD)は、国内外のお客様から高い評価をいただいています。さらに高度化する製造プロセスに独自の技術で応え、省エネルギー・低炭素社会の実現に向け貢献していきます。

半導体レーザーから発展

GaN MOCVD System UR-26K 8"x6 or 6"x10"

化合物半導体は、シリコンに比べて光を放出しやすいという特徴があり、発光素子として優れています。この特徴を生かしたのが半導体レーザー(LD)です。GaAsによるLDは1979年にアメリカで実用化され、1981年にはCD用の光源として正式採用されました。この時に使われた製造方法がMOCVD法(有機金属気相成長法)です。つまり化合物半導体は、MOCVDの発達によって実用化が果たされたのです。現在では、Blu-ray用の光源や光通信にも需要が広がりつつあります。

LDの次に実用化されたのは発光ダイオード(LED)です。低消費電力で高輝度のLEDの実用化はディスプレーの可能性を広げました。特に、日本で開発された窒化ガリウム(GaN)による青色・緑色LEDの出現によって、光の三原色を表示することができるようになり、大型ディスプレイなどの用途へ広がりを見せました。現在は、主として青色LED+蛍光体方式による白色の一般照明、薄型TVの液晶バックライトなどの用途が普及期に入り、大きな市場が形成されています。今後は、紫外光LED(UV-LED)による紫外線ランプの置き換え需要も期待されています。また化合物半導体には高効率・高速動作という特徴もあり、発光素子としてだけでなく、通信端末のパワーアンプや電源制御などの電子デバイス用にも使われ、需要が伸びてきています。

化合物半導体急成長の背景

ブラウン管TVと携帯電話を置き換えた薄型TVとスマートフォン。普及期に入りつつある個体照明。そして省エネのカギを握るパワー半導体。これら先端アプリケーションの需要がLD、LEDや電子デバイス(HEMT)などの化合物半導体市場を拡大させています。これにともない、当社が世界有数の優れた技術をもつMOCVDがその製造装置として脚光を浴びています。

大陽日酸のMOCVD

今後市場拡大が見込まれているUV-LEDや、次世代パワー半導体を生産するMOCVDには、高品質の化合物半導体の生産と高い生産性の両立が求められます。大陽日酸のMOCVDは、高品質の化合物半導体を高速に成長できる独自のプロセス技術、広いプロセスウィンドウそして信頼性の高いハードウェアで、このお客様の期待に応えてまいります。

  • 大陽日酸のMOCVD装置の特長
    • 原材料ガスから排ガス処理装置まで、トータルソリューションとして提供。
    • 自社保有装置によるプロセス開発とエピサンプル対応。
    • 可視化実験、コンピュータシミュレーションでリアクタ内ガスフローを最適化。
    • 装置構成、加熱方式など、さまざまなご要望にフレキシブルに対応可能。
    • メンテナンス性を重視したリアクタ設計によりダウンタイムを低減。