つくば研究所


◆設立:1992年7月
◆住所:茨城県つくば市大久保10
◆敷地面積:38,311m2

つくば研究所では、安定同位体化合物の合成、深冷/同位体分離、半導体材料など最先端アプリケーションの研究開発が行われています。さらに近年話題となっている青色LEDの材料である GaN MOCVD装置の開発も、このつくば研究所で行われています。

また応用開発研究だけでなく、産業ガスメーカーとして要となる技術、ガス分析技術の研究開発と各種分析実務をになう重要な拠点でもあります。

MOCVD装置


GaN量産用 MOCVD UR25K
4"x10 or 6"x7


GaN量産用 MOCVD UR26K
6"x10 or 8"x6


GaN研究開発・生産用 MOCVD
SR4000HT 2"x3 or 4"x1

評価装置


光学表面分析装置


電界放出型走査電子顕微鏡


原子間力顕微鏡


PLマッピングシステム


ホール効果測定システム


EL測定システム


X線回折装置