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大陽日酸のMOCVD装置に関する技術情報および技術論文を提供しております。
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技術論文一覧
| Characteristics of AlN Layer on 4 inch Sapphire Substrate by High Temperature Annealing in Nitrogen Atmosphere |
| Influence of the Al content of the AlGaN buffer layer in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures on a Si substrate |
| Study of carbon concentration in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition |
| Impact of crystal quality of AlN nucleation layer on the vertical direction breakdown voltage of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures on Si |
| Regrowth of High-Al-content AlGaN and AlN on High-quality AlN Template Fabricated by Annealing at 1700 ℃ under Nitrogen Ambient |
| High quality Al0.6Ga0.4N and AlN growth on AlN template with a high temperature annealing in N2 ambience |
| Challenge and Opportunity of high-flow rate MOCVD tool for UV-LED Application |
| Homoepitaxial Growth Technique of GaN for Vertical Power Electronic Devices (Japanese only) |
| Relationship between Al compositions of AlGaN buffer layer and vertical leakage current of AlGaN/GaN HEMT on Sio Substrate
MRS Spring |
| Characterization of AlN and Mg-doped AlxGa1-xN(x>0.2) Grown by Using Horizontal High-flow-rate MOVPE System
2016 ICMOVPE |
| Improvement of Crystalline Quality of AlN and High-Al-content AlGaN at High Growth Rate Using Horizontal High-flow-rate MOVPE System
CSW 2016 |
| Relationship between Al content of AlGaN buffer layer on top of initial AlN nucleation layer on Si and vertical leakage current of AlGaN/GaN highelectron-mobility transistor structures
CSW 2016 |
| GROWTH OF N-TYPE AlxGa1-xN (x>0.5) WITH LOW ELECTRIC RESISTIVITY AT HIGH V/III RATIO
IWUMD 2016 |
| Breakdown electric field of each layer in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates
Isplasma 2016 |
| Effect of the formation temperature of the AlN/Si interface on the vertical-direction breakdown voltages of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates
MRS Advances |
| Variation of vertical direction breakdown voltage of the AlGaN/GaN HEMTs on AlN/Si template substrate as a function of growth temperature of initial Al layer
MRS2016 spring meeting (Poster Session) |
| Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流のAlGaN緩衝層Al組成依存性
「第63回応用物理学会春季学術講演会予稿」 |
| NEW TYPE MOCVD SYSTEM “SR4000HT” |
| Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造の縦方向耐圧のAlN層成長条件依存性 「第76回応用物理学会秋季学術講演会」ポスター発表 |
| 高流速MOCVDを用いたn型AlGaN(Al>0.5)の高速成長 「第76回応用物理学会秋季学術講演会」ポスター発表 |
| Correlation of the initial AlN layer and vertical direction current leakage of AlGaN/ GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) on Si substances 「TWHM（11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics）」 ポスター発表 |
| MOCVDによるGaN基板上への低C不純物濃度のGaN単膜成長 「第62回 応用物理学会春季学術講演会」ポスター発表 |
| Normally-OFF Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on 8 in. Si with Low Leakage Current and High Breakdown Voltage (825 V) Appl. Phys. Express 7, 041003 (2014) |
| Industry MOCVD: III-N film growth Compound Semiconductor-Volume 20, Number 2-March 20 |
| Control of Thickness and Composition Variation of AlGaN/GaN on 6- and 8-in. Substrates Using Multiwafer High-Growth-Rate Metal Organic Chemical Vapor Deposition Tool Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JB06 |
| 大口径化基板対応（8インチ×6枚）高速成長MOCVD装置（UR26K）の開発 |
| MOCVDによる窒化物系電子デバイス構造の大口径Si基板上への高速成長 |
| High growth rates of AlN and AlGaN on 8" silicon wafer using metal-organic vapor phase epitaxy reactor |
| Uniform Growth of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 200mm Silicon (111) Substrate Appl. Phys. Express 6 (2013) 026501 |
| High-growth-rate AlGaN buffer layers and atmospheric-pressure growth of low-carbon GaN for AlGaN/GaN HEMT on the 6-in.-diameter Si substrate metal-organic vapor phase epitaxy system Journal of Crystal Growth |
| Control of Thickness and Composition Variation of AlGaN/GaN on 6" and 8" Substrates Using Multiwafer High-Growth-Rate MOCVD Tool 「IWN 2012 (International Workshop on Nitride Semiconductors)予稿」 |
| MOCVD 成長により形成したAlN/GaN 超格子バリア層を有するHJ-FET の電流コラプス特性 「2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| MOCVD 法を用いた低シート抵抗AlN/GaN 超格子バリア層の成長 「2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 4inch×11 枚 大型MOVPE 装置（UR25K）を用いたGaN 及びAl0.1Ga0.9N の大気圧成長 「第70回（2009年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| GaNおよびInGaN/GaN 量子井戸のエッチング初期過程とPL 特性 「第70回（2009年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| n-GaNと白金電極の水分解水素発生効率の比較 「第70回（2009年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| リセスゲートAlGaN/GaN HEMT のドレインコンダクタンス抑制 「第70回（2009年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| AlGaN/GaN MOS-HFETへのCF4プラズマ表面処理の効果 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 電流コラプスに対するフィールドプレートの効果 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| GaN自立基板電極を用いたGa/N面のフラットバンド発生特性と水分解水素発生特性 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| GaN系半導体の光化学エッチング初期過程のAFM観察 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| GaN系半導体電極を用いた水分解による水素発生の定量化 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 高温MOCVD成長によるSi基板上AlNの成長圧力依存性 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 有機金属気相成長法によるInGaN系発光ダイオードに及ぼすNH3ガス中の不純物の影響 「2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 大気圧MOVPE装置による窒化ガリウムの高速成長 「第69回（2008年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| High growth rate metal organic vapor phase epitaxy GaN 「Journal of Crystal Growth 310(2008)3950-3952」 |
| Multiwafer atmospheric-pressure MOVPE reactor for nitride semiconductors and ex-situ dry cleaning of reactor components using chlorine gas for stable operation 「Phys.Stat.Sol.(c)5,No.9,3017-3019(2008)」 |
| AlGaN/GaN HEMTへのプラズマCVDによるSiN表面保護膜形成 「第55回（2008年春季）応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| フィールドプレート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTデバイスの高耐圧化 「第55回（2008年春季）応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 有機金属気相成長法によるInGaN系発光ダイオードに及ぼすNH3ガス中の水分の影響 「第55回（2008年春季）応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 「アンモニアガス中の水分によるInGaN LED のEL 発光強度への影響」 －MOVPE によるLED 構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理－ 電子情報通信学会 研究会（2007.10.11－12.@福井大学） |
| Multi-wafer Atmospheric Pressure MOVPE Reactor for Nitride Semiconductors and ex-situ Dry Cleaning of Reactor Components by Chlorine Gas for Stable Operation 「34th International Symposium on Compound Semiconductors（ISCS2007）予稿」 |
| AlGaN/GaN HEMT の最大ドレイン電流、相互コンダクタンスの素子構造依存性（２） 「第68回（2007年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| AlGaN/GaN HEMT の短ゲート・ソース長化に関する検討 「第54回（2007年春季）応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| AlGaN/GaN/AlGaN FET のノーマリーオフ化に関する研究(2) 「第54回（2007年春季）応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| InGaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN FETのノーマリオフ化 「第54回（2007年春季）応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| Ex situ dry cleaning of reactor component of nitride metal organic chemical vapor deposition using chlorinated gases「Journal of Crystal Growth 298 (2007) 433-436」 |
| GaN growth on 150-mm-diameter (111) Si substrates「Journal of Crystal Growth 298 (2007) 198-201」 |
| AlGaN/GaN/AlGaN HEMT のノーマリーオフ化に関する研究 「第67回（2006年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| AlGaN/GaN HEMT の最大ドレイン電流、相互コンダクタンスの素子構造依存性 「第67回（2006年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| 多層膜MIS 構造AlGaN/GaN HEMT デバイスの高耐圧化に関する研究 「第67回（2006年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| 2”×10 枚スケール大型量産GaN MOCVD 装置によるAlGaN の大気圧成長 「第67回（2006年秋季）応用物理学会学術講演会予稿」 |
| Growth and electron transport studies of InAlN/GaN two-dimensional electron gas 「第53回(2006年春季)応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 短ゲート長AlGaN/GaN HEMT に関する基礎的検討 「第53回(2006年春季)応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| AlGaN/GaN HEMT のオン抵抗に関する研究 「第53回(2006年春季)応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| 2 層MIS 構造AlGaN/GaN HEMT デバイスの高耐圧化に関する研究 「第53回(2006年春季)応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| MOVPE 法による6インチ（111）Si 基板上GaN の作製 「第53回(2006年春季)応用物理学関係連合講演会予稿」 |
| Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes 「J. Appl. Phys. 97, 091101 (2005)」 |
| 2インチ６枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価 「電子情報通信学会 研究会」 |
| MIS 構造AlGaN/GaN HEMT デバイスの高耐圧化・高速化に関する研究 「第66回(2005年秋季)応用物理学会学術講演会予稿」 |
| ノーマリーオフ型AlGaN/GaN HEMT に関する研究 「第66回(2005年秋季)応用物理学会学術講演会予稿」 |
| 生産用MOCVD によるInAlGaN 量子井戸の作製と紫外高効率発光 「第66回(2005年秋季)応用物理学会学術講演会予稿」 |
| AlGaN/GaN HEMT の低オン抵抗化に関する研究 「第66回(2005年秋季)応用物理学会学術講演会予稿」 |
| Realization of High Internal Quantum Efficiency over 35% in 330 nm-band deep-UV using Quaternary InAlGaN Quantum Well 「ICNS-6 Late news」 |
| Effects of growth pressure on AlGaNand Mg-doped GaN grown using multiwafer metal organic vapor phase epitaxy system |
| Growth mechanism of atmospheric pressure MOVPE of GaN and its alloys: gas phase chemistry and its impact on reactor design |
| Effect of Growth Parameter on InGaN/GaN MQW Structures Grown with Laminar-Three Flow Multi Wafer AP-MOVPE |
| 大気圧成長GaN 系MOVPE 成長技術の開発 |
| 量産型MOVPE 装置によるInGaN 大気圧成長 |
| InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響 |
| Influent of Ambient Hydrogen Gas on Crystalline Quality in GaN |
| 2"×3スケール大気圧横型GaN-MOCVD装置の性能評価 |