展示会情報

2017年12月1日 大陽日酸は、2018年1月27日(土)~2月1日(木)に米国サンフランシスコ モスコーン・センターで開催されるSPIE Photonics West 2018にて発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション:Growth I/10532-3
  • 題目:Characteristics of AlN layer on four-inch sapphire substrate by high-temperature annealing in nitrogen atmosphere
  • 発表日:2018年1月29日(月) 11:10AM-11:30AM
2017年10月2日 2017年11月12日(日)~17日(金) にびわ湖大津プリンスホテルで開催されるPVSEC 2017にて、国立研究開発法人産業技術総合研究所様が大陽日酸共著の発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション:3Tu5.4
  • 題目:Fabrication of GaAs solar cells grown with InGaP window layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • 発表日:2017年11月14日(火) 2:30PM-2:45PM
  • 会場:Room3
2017年10月2日 大陽日酸は、2017年11月14日(火)~18日(日) に九州大学医学部百年講堂で開催されるIWUMD 2017にて発表を予定しております。また併設展示会にブースを出展する予定です。
ポスター発表
  • セッション:Th-P42
  • 題目:Luminescence characteristics of Si-doped high Al composition AlGaN Multi-quantum-well grown by metal organic chemical vaper deposition
  • 発表日:2017年11月16日(木) 0:45PM-2:45PM

国立大学法人東京農工大学様も大陽日酸共著の発表を予定しております。

ポスター発表
  • セッション:We-P51
  • 題目:High temperature growth of GaN by THVPE method
  • 発表日:2017年11月15日(水) 0:30 PM-2:30PM
2017年9月1日 大陽日酸は、2017年10月8日(日)~12日(木)にカナダ アルバータ州バンフ バンフ・センターで開催されるISSLED 2017にて発表を予定しております。
ポスター発表
  • セッション:TP24
  • 題目:Characterization of AlN Layer on 4 Inch Sapphire Substrate by High Temperature Annealing in Nitrogen Atmosphere
  • 発表日:2017年10月10日(火) 4:00PM-6:00PM
2017年8月4日 大陽日酸は、2017年9月5日(火)~8日(金) に福岡国際会議場で開催される第78回応用物理学会秋季学術講演会にて発表を予定しております。
2017年8月4日 大陽日酸は、2017年9月18日(月)~22日(金) にフィンランド エスポー市 ホテルヌークシオで開催されるIWBNS-Xにて発表を予定しております。
2017年6月6日 大陽日酸は、2017年7月24日(月)~28日(金)にフランス ストラスブール ストラスブール・コンベンションセンターで開催されるICNS-12にて発表を予定しております。また併設展示会にブースを出展する予定です。
発表題目
  • Characteristics of AlN layer on 4-inch sapphire substrate by high temperature annealing in nitrogen atmosphere
2017年6月6日 大陽日酸は、2017年7月30日(日)~8月4日(金)に米国 ニューメキシコ州サンタフェ エルドラドホテルで開催されるOMVPE-18/ACCGE-21にて発表を予定しております。また併設展示会にブースを出展する予定です。
発表題目
  • Properties of GaN on high quality AlN sapphire template by using metalorganic chemical vapor deposition
2017年6月6日 2017年6月25日(日)~30日(金) に米国 ワシントンDC ワシントン・マリオットワードマンパークで開催されるPVSC 2017にて、国立研究開発法人産業技術総合研究所様が大陽日酸共著の発表を2件予定しております。
発表題目
  • Characterization of GaAs solar cells grown by hydride vapor phase epitaxy in a horizontal reactor
  • Extremely high-speed GaAs growth by MOVPE for low cost PV application
2017年4月3日 大陽日酸は、2017年5月14日(日)~18日(木) にドイツ ベルリン dbbフォーラムで開催されるCSW 2017にて発表を予定しております。
2017年3月16日 大陽日酸は、2017年4月19日(水)~21日(金)にパシフィコ横浜で開催されるLEDIA '17にて発表を予定しております。
2017年3月16日 大陽日酸は、2017年3月14日(火)~17日(金)にパシフィコ横浜で開催される第64回応用物理学会春季学術講演会にて発表を予定しております。
2016年9月5日 大陽日酸は、2016年9月12日(月)~15日(木)に、神戸メリケンパークオリエンタルホテルで開催される the 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016) にてブース展示(ブース番号2番)を予定しております。
2016年9月5日 大陽日酸は、2016年9月13日(火)~16日(金)に、新潟朱鷺メッセにて開催される応用物理学会秋季学術講演会において、ポスター発表を予定しています。
ポスター発表
  • セッション:14a-P6-15
  • 題目:Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向耐圧におけるSLS層周期数の影響
  • 発表日:2016年9月14日(水) 9:30AM-11:30AM
  • セッション:16a-P5-18
  • 題目:高温N2 雰囲気アニール処理をしたAlNテンプレート上へのAlN及びAlGaN(Al > 0.5)の再成長
  • 発表日:2016年9月16日(金) 9:30AM-11:30AM
  • セッション:16a-P5-19
  • 題目:量産用MOCVDを用いた低SiドープGaN膜中のCとSi濃度制御
  • 発表日:2016年9月16日(金) 9:30AM-11:30AM
2016年9月5日 大陽日酸は、2016年9月19日(月)~22日(木)に、ポーランド ワルシャワ工科大学にて開催される the European Materials Reserch Society(E-MRS) 2016 Fall Meeting において、口頭発表とポスター発表を予定しています。
口頭発表
  • セッション:G.2.1
  • 題目:Challenges to GaN MOCVD: High Growth rate and High Purity
  • 発表日:2016年9月19日(月) 11:00AM
ポスター発表
  • セッション:F.P.1.13
  • 題目:Characterization of AlN and AlxGa1-xN (x > 0.5) films regrown by high-temperature MOCVD on N2-annealed AlN template
  • 発表日:2016年9月19日(月) 5:45PM
2016年9月5日 大陽日酸/米国子会社マチソントライガス社は、2016年10月2日(日)~6日(木)に、米国フロリダ州オーランド Hilton Orlando Lake Buena Vista で開催される the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2016 にてブース展示とポスター発表を予定しています。また米国 Sandia National Laboratoriesより、大陽日酸共著の口頭発表が予定されています。
大陽日酸ポスター発表
  • セッション:PS1.27 @ Grand Ballroom
  • 題目:Regrowth of High‐Al‐Content AlGaN and AlN on High‐Quality AlN Template Fabricated by Annealing at 1700C under Nitrogen Ambient
  • 発表日:2016年10月3日(月) 6:30PM-8:30PM
  • セッション:PS2.122 @ Grand Ballroom
  • 題目:Impact of Crystal Quality of AlN Nucleation Layer on the Vertical Direction Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structures on Si
  • 発表日:2016年10月6日(木) 9:45AM-10:45AM
米国 Sandia National Laboratories 口頭発表
  • セッション:A2.7.05 Epitaxial Growth VII: Epitaxial Growth of (Al,Ga)N @ International South
  • 題目:Low Etch Pit Density AlN on Sapphire
  • 発表日:2016年10月6日(木) 9:15AM
 
2016年6月17日 大陽日酸は、2016年7月27日~31日に、北京大学で開催される International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD-2016)にて発表を予定しております。
2016年5月18日 大陽日酸は、2016年7月10日~15日に、米国サンディエゴ Sheraton San Diego Hotel & Marinaで開催される18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxyにてブース展示(ブース番号18番)とポスター発表を予定しています。また米国 Sandia National Laboratoriesより、大陽日酸共著の口頭発表が予定されています。
大陽日酸ポスター発表
  • セッション:PS-1
  • 題目:Characterization of AlN and Mg-Doped AlxGa1-xN (x>0.2) Grown by Using Horizontal High-Flow-Rate MOVPE System
  • 発表日:7月12日 4:00PM-6:00PM
Sandia National Laboratories 口頭発表
  • セッション:1D-1 AlN Heteroepitaxy, Grande Ballroom C
  • 題目:Growth Evolution of AlN on Sapphire at High Temperature
  • 発表日:7月11日 4:00PM
2016年5月18日 大陽日酸は、2016年6月26日~30日に、富山国際会議場で開催されるthe 2016 Compound Semiconductor Week(CSW2016) にてブース展示(ブース番号6番) とポスター発表を予定しております。
2016年02月22日 大陽日酸は、2016年3月6日~10日に、名古屋大学にて開催されるISPlasmaにおいて、口頭発表を予定しています。
  • 題目:Breakdown electric field of each layer in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates
  • 発表日:3月9日
2016年02月22日 大陽日酸は、2016年3月19日~22日に、東京工業大学にて開催される応用物理学会春季学術講演会において、口頭発表を予定しています。
  • 題目:Si 基板上AlGaN/GaN HEMT 構造縦方向リーク電流のAlGaN 緩衝層Al 組成依存性
  • 発表日:3月21日
2016年02月22日 大陽日酸は、2016年3月28日~4月1日に、米国ファニックスにて開催される2016MRSにおいて、ポスター発表を予定しています。
  • 題目:Variation of Vertical Direction Breakdown Voltage of the AlGaN/GaN HEMTs on AlN/Si Template Substrate as a Function of the Growth Temperature of the Initial Al Layer
  • 発表日:3月29日
2015年10月06日 大陽日酸は、2015年11月2日~6日に、韓国にて開催される9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-Ⅸ)において口頭発表を予定しています。
  • 題目:Low C and Si residual concentration of GaN grown on GaN Substrates by MOCVD
2015年10月06日 大陽日酸は、2015年11月8日~13日に、アクトシティ浜松にて開催される6th International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-6)において、ポスター発表及びキーノート講演を予定しています。
  • ポスター発表題目:Si-doped Al0.6Ga0.4N with low carbon concentration at high growth rate using high-speed-flow MOVPE reactor
  • キーノート講演題目:Opportunities and Challenges to GaN MOCVD for Electron Devices
2015年10月06日 大陽日酸は、2015年11月26~27日に、大阪市立大学にて開催される電子情報通信学会研究会において、口頭発表を予定しています。
  • 題目:Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層の依存性
2015年09月01日 大陽日酸は、9月13日~16日に名古屋国際会議場にて開催される第76回応用物理学会秋季学術講演会において、ポスター発表2件を予定しています。
  • 題目:Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造の縦方向耐圧のAlN層成長条件依存性
  • 題目:高流速MOCVDを用いたn型AlGaN(Al>0.5)の高速成長
2015年08月04日 大陽日酸は、2015年8月30日~9月4日にBeijing International Convention Centerにて開催される11th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-11)に展示を予定してます。
2015年08月04日 大陽日酸は、2015年8月23日~26日にひだホテルプラザ(高山)にて開催される11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)に展示を予定してます。また「Correlation of the initial AlN layer and vertical direction current leakage of AlGaN/GaN high-electron-mobitdty transistors(HEMTs)on Si substances」のトピックについて、ポスターセッションにも参加予定です。
2015年08月04日 大陽日酸は、2015年8月20~21日にヒルトン福岡シーホーク(福岡)にて開催されるWorkshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors(WUPP)に展示を予定してます。新しいウィンドウで開く
2015年02月26日 大陽日酸は、2015年3月25~28日にTWTC Nangang Exhibit Hall(台北、台湾)にて開催されるLED Taiwan 2015に展示を予定しています。
2014年07月02日 大陽日酸は、2014年7月25~26日に名城大学にて開催される第6回窒化物半導体結晶成長研究会に展示を予定しています。
2014年07月02日 大陽日酸は、2014年8月24~29日にCentennial Hall in Wroclaw, Polandにて開催されるIWN 2014 (International Workshop on Nitride Semiconductors 2014)に展示を予定しています。
2014年07月02日 大陽日酸は2014年9月8~11日につくば国際会議場にて開催されるSSDM2014(Solid State Devices and Materials 2014)に展示を予定しています。
2014年04月18日 大陽日酸は、2014年5月18日-22日にウェスティンホテル・ピーチツリープラザ(アトランタ、ジョージア)にて開催される5th International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-5)に出展を予定しております。